近日，五十五所國揚公司以雙“芯”驅動發展為主題，攜SiC和Si IGBT器件首次亮相電力電子業界年度盛事——PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。
此次展會，國揚公司以“SiC元素”為特色，重點展出了核心技術自主可控的SiC 4寸和6寸二極管圓片、SiC 4寸MOSFET圓片、SiC分立器件、SiC混合功率模塊、全SiC功率模塊以及數款擁有低電感、防爆、阻燃等自主知識產權的Si IGBT功率模塊，展出產品電壓涵蓋600V～3300V，電流覆蓋8A～3000A。
公司副總經理滕鶴松在展會期間接受《變頻器世界》雜志專訪時表示，面對未來的發展趨勢，國揚公司的基本發展思路是：雙“芯”驅動（Si IGBT和SiC芯片）發展，用新思路解決“芯”問題，具體就是要以SiC芯片為引領，做好技術創新和市場開拓，并以Si IGBT為核心，提升產品規模和公司體量。
同時，要抓住整個電力電子產業大發展、軍民融合大發展、核心芯片大發展這三大機遇，加大投入、加大力度，充分發展和利用好現有的芯片設計、生產能力，把雙“芯”驅動發展做實、做強、做大，用“芯”動能促進新發展，解決好核心之“芯”自主可控的問題。要把軍民融合形成特色、優勢和核心競爭能力，使其成為支撐和加速國揚公司發展的核心動力。
此次參展不僅能展示和推廣系列產品，也是向同行學習、了解市場需求和發展動態的機會，國揚公司將提供更多有特色、有優勢的方案和服務，推動公司產品市場拓展，樹立企業品牌形象。
