五十五所2009年1月被批準成為江蘇省博士后科研工作站，重點依托五十五所國家級重點實驗室開展博士后科研工作。

　　五十五所國家級重點實驗室主要從事GaN、SiC材料與器件方面的科研工作，在寬禁帶半導體領域的研究水平居國內領先地位，具有一流的科研條件和雄厚的實力。

　　項目名稱： 碳化硅高壓結型場效應三極管研究

　　起止日期： 2010.12-2012.12 經費投入(萬元) 180萬元

　　專業方向： 微電子或半導體 工作地點 江蘇南京

　　項目說明：(項目內容及要求達到的技術指標)

　　新型碳化硅大功率器件可以簡化電路，減小電力電子系統的體積，提高電路工作頻率，提高電路的效率和提高系統工作溫度。需要1200V級別的變壓器設計和實驗驗證。1、要求實現碳化硅器件對硅器件(IGBT)的直接替代，凸現碳化硅器件的優勢。2、為碳化硅器件專門設計的電力電子電路，充分發揮碳化硅器件的優勢，實現高溫(200℃)工作。3、實現為風能、太陽能應用的碳化變電器，展示低能耗和高工作頻率。

　　項目名稱： 硅基毫米波亞毫米波集成電路與系統的基礎研究

　　起止日期： 2010-2014 經費投入(萬元) 100萬元

　　專業方向： 微電子或半導體 工作地點 江蘇南京

　　項目說明：(項目內容及要求達到的技術指標)

　　硅基毫米波亞毫米波集成電路在集成度、工藝成熟度、成本等方面比化合物半導體具有優勢，在高速無線通信、相控陣雷達、射電天文等領域具有較大應用市場。需要110GHz硅基集成電路測試及設計。

　　1、掌握硅基無源/有源電路的設計方法，例如放大器、振蕩器、收發芯片等。

　　2、研究硅基毫米波亞毫米波集成電路在片測試系統的搭建及校準方法，對硅基集成電路進行有效的測試。

　　項目名稱： 單片光電子集成(OEIC)接收機研發

　　起止日期： 2010-2012 經費投入(萬元) 90萬元

　　專業方向： 微電子與光電子 工作地點 江蘇南京

　　項目說明：(項目內容及要求達到的技術指標)

　　采用單片集成的光收發芯片技術可以實現光電信號轉化組件的小型化、低成本、高可靠性和高工作頻率。項目通過從材料設計及生長、電路設計到器件工藝技術的自主創新，研制出具有完全自主知識產權的高速長波長(1550nm)光接收機前端單片集成電路。

　　主要研究內容：高速OEIC電路設計技術，InP基OEIC的外延材料結構設計，單片光電子集成工藝技術研究、OEIC封裝技術研究、電路高速OEIC測試技術研究。

　　電路指標：單片光電子集成(OEIC)接收機前端速率：10-20Gb/s博士后研究人員待遇說明：1、負責解決一套二居室住房;2、提供充足的科研啟動資金;3、 年收入10萬元以上，并負責交納各項保險等。